南芯推出国内首款 HPB 充电控制 IC ，可提高笔记本峰值性能释放

发布时间：2023-02-21 20:38:53 【来源：IT之家】

　　2 月 21 日讯：笔记本电脑作为人们日常生活以及工作中必不可少的的设备，承载了办公、娱乐等多种需求。当用户“重度使用”一些高性能软件时，对电脑的瞬时功率要求极高。

　　针对这一需求，南芯科技推出了国内首款具有混合功率升压模式（HPB）和处理器过功率监测功能的同步双向降压充电控制 IC — SC8978x / SC89800，能够在较低电源功率的情况下，提供更大的瞬时功率，满足高性能设备峰值性能释放。

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　　IT之家备注：混合功率升压模式（HPB）的特点是当系统负载超过适配器输出功率时，允许电池反向 boost 与适配器一起为系统供电。适配器在直接为系统供电的同时，通过动态电源管理控制为电池组充电，充分利用适配器功率，有效降低系统供电成本。随着系统功率的增加，电池充电电流将降低，以保持适配器电流在调节范围内。如果系统功率持续增加，将触发 HPB 升压模式补充系统功率。HPB 模式应用于笔记本电脑时，可使 CPU 和 GPU 在“重度使用”时同时达到其最高性能。

　　SC8978x / SC89800 采用 4mm x 4mm QFN-28 封装，支持 4.5V 到 24V 宽输入电压范围，集成 NMOS 驱动可实现在电池和适配器间自动切换系统电源，支持 1S 到 4S 电池充电管理。

　　SC8978x / SC89800 均采用混合功率升压架构（Hybrid power boost），通过 SMBUS 接口，用户可灵活设置充电电流、充电电压、输入电流、电流限制、开关频率等参数。此外，充放电电流也可以通过外部 ILIM 引脚实时设置。

　　SC8978x / SC89800 符合 Intel IMVP8 / IMVP9 规格，包括系统电源、输入电流、充电电流监测、系统功率监测，处理器过功率指示。支持全面保护，包括过温保护、适配器和电池过压保护、输入 MOSFET 过流保护、电池，电感器和 MOSFET 短路保护。