AMD发布第二代 3D 缓存处理器细节，带宽高达 2.5 TB / s

发布时间：2023-03-05 15:33:48 【来源：IT之家】

　　3 月 5 日讯：得益于颠覆性的 3D 芯片堆叠技术，AMD Ryzen 9 7950X3D 已成为目前最强的游戏处理器之一，但奇怪的是，该公司在发布 Ryzen 7000X3D 时没有提到任何关于其新的第二代 3D V-Cache 细节。

　　AMD 在最近的一次技术会议上向外媒分享了一些细节。据介绍，这颗 Chiplet 芯片仍采用 7nm 工艺，但峰值带宽提高到了 2.5 TB / s，而初代 3D V-Cache 峰值带宽为 2TB /s。

　　此外，我们还拿到了 AMD Ryzen 7000 处理器的新型 6nm I / O 芯片的新图片和参数。

　　总的来说，AMD 第二代 3D V-Cache 技术比第一代技术再次向前迈出了一大步。

　　首先，AMD 的 3D V-Cache 技术将一颗额外的 L3 SRAM 芯片直接堆叠在计算芯片 (CCD) 芯片的中心，从而将其与温度较高的核心隔离开来。这颗芯片为它带来了 96MB 3D 缓存，从而提高了对延迟敏感类应用程序的性能表现，比如游戏。

　　AMD 在 2023 年国际固态电路会议 (ISSCC) 上展示了一些关于第二代 3D V-Cache 实现的新技术，并就 Zen 4 架构进行了演示。

　　AMD 上一代 3D V-Cache 将 L3 SRAM 芯片堆叠在 7nm Zen 3 CCD 上，而新一代的 L3 SRAM 芯片依然坚持采用了 7nm 工艺，但它需要堆叠在更小的 5nm Zen 4 CCD 上。这就造成了尺寸不匹配，因此需要进行一些修改，最终大幅提高了其晶体管密度。

　　第二代芯片第一代芯片5nm Zen 4 CCD7nm Zen 3 CCD

　　尺寸36mm241mm266.3mm280.7mm2

　　晶体管数约 47 亿47 亿65.7 亿41.5 亿

　　晶体管密度约 1.306 亿约 1.146 亿约 9900 万约 5140 万

　　与之前一样，这颗额外的 L3 SRAM 缓存带来了 4 个 clock 的时钟信号延滞，但 L3 芯片和基本芯片之间的带宽增加到 2.5 TB / s，比之前的 2 TB / s 提高了 25%。

　　这颗 L3 SRAM 芯片通过两种类型的 TSV 硅通孔连接到基础模芯片部分。其中 Power TSV 负责传输能量，Signal TSV 负责传输数据。

　　在第一代 L3 SRAM 芯片设计中，两种类型的 TSV 都位于基础芯片的 L3 区域，然而随着 5nm 工艺的改进，基础芯片上的 L3 缓存部分的面积现在有所减少。因此，即使 7nm 的 L3 SRAM 芯片面积更小，它现在也与 L2 缓存 (前一代只重叠了 L3 缓存部分) 发生重叠，所以 AMD 不得不改变基本芯片和 L3 SRAM 芯片中的 TSV 连接设计。