存储芯片国产替代迎来加速期，底部信号显现

　　4月10日讯：2022年受消费电子市场需求疲软影响，芯片行业整体处于下行周期，2022年末芯片指数较年初下降27.16%，其中存储芯片受到的影响最大，2022年末板块指数较年初下降32.25%。

　　2023年初以来在AI算力预期需求刺激以及国产替代加速背景下，叠加国际大厂相继宣布大幅下调资本支出对市场释放出供给扩张减缓信号，板块迎来反弹，存储板块指数从年初至今上涨48.1%，对于存储行业目前所处现状以及产业链上相关公司，本文来分析一下。

资料来源：wind，钛媒体产业研究部

　　DRAM市场占比高，主要被海外厂商垄断

　　存储芯片是以半导体电路作为存储介质，通过对电子或电荷充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否保留，存储芯片分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。

　　易失性存储芯片在断电后存储数据会消失，包括静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）；非易失性存储芯片在断电后存储数据仍会保留，包括快闪存储器（Flash Memory）和只读存储器（ROM）。

　　其中Flash Memory又分为NOR Flash和NAND Flash，NOR Flash可以在其上面直接运行代码，读写速度更快，但容量较小，NAND Flash写入和擦除速度更快，容量较大。

　　常用的存储芯片主要包括DRAM、NOR Flash和NAND Flash，按出货量来看，DRAM市场份额最高，根据IC Insights数据，2021年DRAM出货量市场占比达到43%，NAND Flash和NOR Flash出货量市场占比分别为30%和9%。

　　目前存储芯片主要被国外厂商垄断，国产化率较低，其中DRAM市场目前主要被海外厂商三星、海力士和美光三家垄断，2021年全球市场份额分别为43%、28%和23%，CR3达到94%，集中度最高。

　　NAND Flash被三星、铠侠、海力士以及美光等六家厂商垄断，CR6为93%，其中三星2021年市场份额占34%，排名第一；NOR Flash被旺宏和华邦垄断，2021年两家全球市场份额之和为52%，兆易创新以18%的市占率排名第三。

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